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消除基于GSHE‑MTJ的电路中的非所要电流路径制造技术

2017-08-18 10:09:22 来源:齐鲁在线 编辑:K027_小凯乐
系统和方法涉及避免由巨自旋霍耳效应GSHE磁性隧道结MTJ元件形成的自旋电子逻辑门中的非所要电流路径或潜路径。潜路径防止逻辑耦合到所述GSHE‑MTJ元件,以防止所述潜路径。所述潜路径防止逻辑可包含耦合到所述一或多个GSHE‑MTJ元件的一或多个晶体管,以限制写入电流在写入操作期间从既定管线级流动到非既定管线级。所述潜路径防止逻辑还可包含耦合到所述一或多个GSHE‑MTJ元件的一或多个二极管,以防止预设电流流入输入电路或充电电流产生电路中。预设线可耦合到所述一或多个GSHE‑MTJ元件,以使预设电流分流,而不流入非既定路径中。

GSHE cancellation circuit in MTJ based on the non current path

The system and method relate to avoiding non current paths or potential paths in a spin electron logic gate formed by a giant spin Hall effect GSHE, a magnetic tunnel junction MTJ element. To prevent the potential path logic coupled to the GSHE MTJ components, in order to prevent the potential path. The submersible path can contain prevent logic coupled to the one or more GSHE MTJ components of one or more transistors, to limit the write current during a write operation at a given pipeline stage flow to non established stage. The submersible path can also contain prevent logic coupled to the one or more GSHE MTJ components of one or more diodes to prevent the preset current into the input circuit and the charging current generating circuit. The default line may be coupled to the one or more GSHE MTJ components to make a preset current shunt, but not into non established path.

1 技术实现步骤摘要

【国外来华专利技术】根据35U.S.C.§119主张优先权本专利申请案主张2014年10月30日申请的标题为“消除基于GSHE-MTJ的电路中的非所要电流路径(ELIMINATIONOFUNDESIRABLECURRENTPATHSINGSHE-MTJBASEDCIRCUITS)”的第62/072730号临时专利申请案的益处,所述临时专利申请案是待决的,且指派给本案受让人,且由此明确地以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术的示范性方面涉及避免由GSHE-MTJ元件形成的自旋电子逻辑门中的非所要电流路径或潜路径。
技术介绍
现代电子装置(例如膝上型计算机、计算机、智能电话、平板计算机等)为使用逻辑门的组合来执行各种逻辑运算的循序状态机。这些现代电子装置的流行部分由现在实现于此类装置上的许多功能驱动。此类功能的需求增加了电子装置的处理能力要求,且产生对较功率高效的裝置的需要。因此,继续小型化逻辑门并降低其电力消耗的压力正在增加。组件的小型化影响处理电路的所有方面,包含处理电路中的晶体管和其它无功元件,例如金属氧化物半导体(MOS)。MOS裝置通常通过晶体管的组合提供逻辑门。历史上,MOS裝置已从增加小型化效果来受益。在过去,此类半导体小型化不仅减小集成电路(IC)中的MOS裝置所占用的覆盖区域,而且减少操作此类IC所需的电力,从而同时改进运算速度。随着MOS裝置减小到纳米尺度(例如九十(90)纳米尺度),MOS裝置在IC中所占用的覆盖区域减小,正如期望。然而,MOS裝置可不以明显更快的速度操作,因为当前机构(即,电子或电洞)的移动性并不也线性地提高,因为移动性是当前机构的有效质...【详细说明在详细技术资料中】

 

2 技术保护点

一种自旋电子逻辑电路,其包括:一或多个巨自旋霍耳效应GSHE磁性隧道结MTJ元件;以及潜路径防止逻辑,其耦合到所述GSHE MTJ元件,所述潜路径防止逻辑经配置以防止包括所述自旋电子逻辑电路中的非既定路径中的充电电流的流动的潜路径。

3 技术保护范围摘要

【国外来华专利技术】2014.10.30 US 62/072,730;2015.02.19 US 14/626,9201.一种自旋电子逻辑电路,其包括:一或多个巨自旋霍耳效应GSHE磁性隧道结MTJ元件;以及潜路径防止逻辑,其耦合到所述GSHEMTJ元件,所述潜路径防止逻辑经配置以防止包括所述自旋电子逻辑电路中的非既定路径中的充电电流的流动的潜路径。2.根据权利要求1所述的自旋电子逻辑电路,其包括:两个或更多个管线级,其包括所述一或多个GSHEMTJ元件;以及充电电流产生电路,其经配置以将写入电流提供到所述一或多个GSHEMTJ元件,其中所述潜路径防止逻辑包括耦合到所述一或多个GSHEMTJ元件的一或多个晶体管,所述晶体管经配置以限制所述写入电流,不让其在写入操作期间从既定管线级流动到非既定管线级。3.根据权利要求1所述的自旋电子逻辑电路,其中所述潜路径防止逻辑包括一或多个二极管,其耦合到所述一或多个GSHEMTJ元件,且经配置以阻止预设电流流入输入电路或充电电流产生电路中。4.根据权利要求3所述的自旋电子逻辑电路,其进一步包括经配置以为所述预设电流提供替代路径的预设线。5.根据权利要求1所述的自旋电子逻辑电路,其包括串流位加法器,所述串流位加法器包括单个位加法器,其经配置以将一或多个管线级中的一或多个位的串流相加。6.根据权利要求5所述的自旋电子逻辑电路,其中所述单个位加法器包括:经配置以将第一输入位、第二输入位和进位入位相加以产生进位出位和总和位的逻辑,其中所述进位出位耦合到所述进位入位。7.一种防止自旋电子逻辑电路中的潜路径的方法,所述方法包括:将一或多个潜路径防止逻辑元件耦合到所述自旋电子逻辑电路的一或多个巨自旋霍耳效应GSHE磁性隧道结MTJ元件;以及使用所述潜路径防止逻辑元件来防止包括所述自旋电子逻辑电路中的非既定路径中的充电电流的流动的潜路径。8.根据权利要求7所述的方法,其包括:将所述一或多个GSHEMTJ元件分割成两个或更多个管线级;以及将写入电流从充电电流产生电路提供到所述GSHEMT...

4 专利技术属性

发明(设计)人:章尧君文清·吴肯德里克·海·良·袁卡里姆·阿拉比
申请(专利权)人:高通股份有限公司
专利类型:发明
专利号:201580057658
国别省市:美国;US


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